文字游戏?英特尔CPU工艺一步跨入4nm时代?

CFan 电脑爱好者 2021-07-27 09:38产品 标签:英特尔 文字游戏 工艺 时代

提起CPU的制程工艺,当前最先进的代表就是台积电和三星旗下的5nm EUV,并已经用于苹果A14、海思麒麟9000、高通骁龙888(还有骁龙780/778)和三星Exynos 2100(还有Exynos 1080)等5G SoC的生产制造了(联发科最强大的天玑1x00目前还停留在6nm)。如果不出意外,2022年我们还将迎来这两大代工厂4nm和3nm工艺的量产。

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作为PC领域的巨头,英特尔目前最先进的制程工艺为10nm SuperFin(可以理解为10nm+),我们熟悉的第11代酷睿Tiger Lake平台就都是基于该工艺打造

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5nm VS 10nm,看起来英特尔已经大幅落后台积电和三星了?

实际上,英特尔在制程工艺的标准制定上一直都比竞争对手更严格。英特尔表示,此前的工艺节点命名规则始于1997年,都是以实际的栅极宽度来定义xx nm(如10nm),但如今友商在工艺命名和栅极宽度已经严重不匹配,因此英特尔启用了新的命名方式,便于产业、客户、消费者理解。

比如,英特尔早期14nm工艺就等基本同于三星和台积电的10nm工艺,而英特尔的10nm工艺更是在鳍片间距、栅极间距、逻辑单元高度、最小金属间距和逻辑晶体管密度等指标上就足以和台积电/三星旗下的7nm工艺抗衡。

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换句话说,英特尔属于非常“老实”的类型,其曾连续多年将14nm打磨成14nm+、14nm++和14nm+++也没有改名12nm。

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英特尔在早些年一直在引领半导体工艺的发展,很多新技术新材料都是英特尔首发

在过去的很长一段时间,英特尔总在强调自家的工艺才是行业的最标准命名,其他家多有掺水成分,希望消费者不要被轻易忽悠

但是,将学习成本转嫁给消费者,让大家了解14nm+++比别人10nm好,10nm比别人7nm棒?只能说任重而道远。

如今,英特尔终于想开了。

在7月27日凌晨的工艺及封装技术大会上,英特尔公布了最新的工艺路线图,旗下即将量产的第3代10nm Enhanced SuperFin工艺(10nm ESF)将会改名为“Intel 7”,原计划的7nm工艺则会改名为“Intel 4”。

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请注意,无论Intel 7还是Intel 4抑或未来的Intel 3和Intel 20A都没有“nm”的后缀——潜台词就是Intel 7有着对飚竞争对手7nm工艺的性能,Intel 4则堪比4nm。

据悉,Intel 7工艺的每瓦性能将提升10%~15%(注意不是IPC性能,而是每瓦性能哦,翻译过来是能效比更高),其即将用于2021年底问世的第12代酷睿Alder Lake平台(采用大小核 的  混合架构设计),以及2022年推出的采用多芯片设计Sapphire Rapids 的数据中心处理器。

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2022下半年,我们将会看到Intel 4工艺的试产,而它也是英特尔旗下首次应用EUV光刻工艺的FinFET工艺,每瓦性能提升20%,首发平台为Meteor Lake 和 Granite Rapids。

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再往后是Intel 3工艺,它也是英特尔旗下的最后一代FinFET工艺,每瓦性能提升18%,2023年下半年开始生产。

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到了Intel 20A,英特尔将正式放弃FinFET晶体管技术,改用最新的GAA晶体管,并引入PowerVia和RibbonFET两大突破性技术,前者是英特尔首创的供电技术(业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输),后者则是GAA晶体管的英特尔技术实现,预计2024年问世。好消息是,Intel 20A工艺已经被高通相中,可能用于生产当年的骁龙8系列移动平台。

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如果你对FinFET和GAA晶体管技术感兴趣,可参考《“芯”希望来自新工艺!EUV和GAAFET技术是个什么鬼》这篇文章。

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改名之后,英特尔制程工艺在字面上就能追上台积电和三星了,但Intel 7面对的则是对手旗下的第二代5nm工艺,Intel 4对飚的则是对手的4nm/3nm,而它们之间究竟谁更强一些,还得等时间来验证。

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